深圳市源禹環(huán)??萍加邢薰?/strong>
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7.1廢水的來源:
7.1.1多晶硅生產(chǎn)廢水:
三氫硅烷還原生成多晶硅過程中產(chǎn)生的尾氣經(jīng)水淋洗產(chǎn)生的.主要反應(yīng)為:SiHCI?+H?-Si + HCI產(chǎn)品反應(yīng))SiHCI?+ H?O-SiO?+HCI(B氣淋洗)廢水中主要物質(zhì)為SiO?> HCI、硅醇及脫水生成的聚硅氯烷和硅酸、偏硅酸等.廢呈強(qiáng)酸性,SiO,的 粒徑極小,大部分聚成團(tuán)漂浮的水面.
7.1.2 切、磨、拋廢水
來自三個工序:
(1) 切片工序主要為粘石臘、冷卻水等,廢水中主要物質(zhì)為:石臘、硅粉、PEG.
(2) 磨片工序的磨液成分為洗液和肥皂制成的浮液.廢水中主要物質(zhì)為;表面活性劑、硅粉.
(3) 拋光工序的拋光液的成分為環(huán)烷烴.廢水中主要物質(zhì)為:硅粉和経類有機(jī)物.切、磨、拋三種廢水混合中灰色有乳狀體. 7.1.3硅片清洗廢水
清洗(酸洗法)廢水由以下幾部分過程產(chǎn)生:
1) SPM清洗用H?SO?,溶液和H?O?溶液按比例配成SPM溶液,將金屬氧化后溶于清洗液,并將有機(jī)污染物氧化成CO?
和 H?O。此工序會產(chǎn)生硫酸雰和廢硫酸.
2) DHF清洗 用一定濃度的氫氟酸去除硅片表面的自然氧化膜,而附著在自然氧化膜上的金屬也被溶解到清洗液中,同時 DHF抑制了氧化膜的形成.此過程產(chǎn)生氟化氫和廢氫氧酸.
3) APM清洗 APM溶液由一定比例的NH?OH溶液、H?O?溶液組成,硅片表面由于H?O?氧化作用生成氧化膜(約6nm呈親 水性),該氧化膜又被NH?OH腐蝕,腐蝕后立即又發(fā)生氧化,氧化和腐蝕反復(fù)進(jìn)行,因此附著在硅片表面的顆粒和金屬也隨腐蝕層而落入清洗液內(nèi).此處產(chǎn)生氨氣和廢氨水
4) HPM清洗 由HCI溶液和H?O?溶液按一定比例組成的HPM,用于去除硅表面的鈉、鐵、鎂和鋅等金屬污染物.此工序產(chǎn)生 氯化氫和廢鹽酸.
5) DHF清洗去除上一道工序在硅表面產(chǎn)生的氧化膜.
7.1.4 砂漿回收廢水
從砂漿中回收聚乙二醇、碳化硅過程中產(chǎn)生的廢水,主要含聚乙二醇、碳化硅及添加劑(AKD)等。
廢水水質(zhì)一太陽能電池
主要污染物:氫氟酸廢水、含酸廢水、含硅粉、切割液(聚乙二醇)廢水.
1、 濃HF、濃KOH廢水:F:10g/L以上
2、 稀HF廢水:F:200mg/L左右
3、 稀酸、堿廢水:酸和堿.
廢水水質(zhì)一砂漿回收
主要污染物:是主要從事太陽能硅片切割液、碳化硅微 粉、硏磨液、清洗劑等產(chǎn)品的技術(shù)開發(fā)和廢砂漿的再生利用的 (聚乙二醇,碳化硅)廢水.
高濃度廢水:COD=40000mg/L
低濃度廢水:COD=5000mg/L
廢水水質(zhì)——LED