7.1廢水的來源:

7.1.1多晶硅生產(chǎn)廢水：

三氫硅烷還原生成多晶硅過程中產(chǎn)生的尾氣經(jīng)水淋洗產(chǎn)生的.主要反應(yīng)為：SiHCI?+H?-Si + HCI產(chǎn)品反應(yīng)）SiHCI?+ H_?O-SiO_?+HCI（B氣淋洗）廢水中主要物質(zhì)為SiO_?> HCI、硅醇及脫水生成的聚硅氯烷和硅酸、偏硅酸等.廢呈強(qiáng)酸性，SiO,的 粒徑極小，大部分聚成團(tuán)漂浮的水面.

7.1.2 切、磨、拋廢水

來自三個工序：

（1） 切片工序主要為粘石臘、冷卻水等，廢水中主要物質(zhì)為：石臘、硅粉、PEG.

（2） 磨片工序的磨液成分為洗液和肥皂制成的浮液.廢水中主要物質(zhì)為；表面活性劑、硅粉.

（3） 拋光工序的拋光液的成分為環(huán)烷烴.廢水中主要物質(zhì)為：硅粉和経類有機(jī)物.切、磨、拋三種廢水混合中灰色有乳狀體. 7.1.3硅片清洗廢水

清洗（酸洗法）廢水由以下幾部分過程產(chǎn)生：

1） SPM清洗用H?SO?,溶液和H?O?溶液按比例配成SPM溶液，將金屬氧化后溶于清洗液,并將有機(jī)污染物氧化成CO_?
和 H_?O。此工序會產(chǎn)生硫酸雰和廢硫酸.

2） DHF清洗 用一定濃度的氫氟酸去除硅片表面的自然氧化膜，而附著在自然氧化膜上的金屬也被溶解到清洗液中，同時 DHF抑制了氧化膜的形成.此過程產(chǎn)生氟化氫和廢氫氧酸.

3） APM清洗 APM溶液由一定比例的NH?OH溶液、H?O?溶液組成，硅片表面由于H?O?氧化作用生成氧化膜（約6nm呈親 水性），該氧化膜又被NH?OH腐蝕，腐蝕后立即又發(fā)生氧化，氧化和腐蝕反復(fù)進(jìn)行，因此附著在硅片表面的顆粒和金屬也隨腐蝕層而落入清洗液內(nèi).此處產(chǎn)生氨氣和廢氨水

4） HPM清洗 由HCI溶液和H?O?溶液按一定比例組成的HPM,用于去除硅表面的鈉、鐵、鎂和鋅等金屬污染物.此工序產(chǎn)生 氯化氫和廢鹽酸.

5） DHF清洗去除上一道工序在硅表面產(chǎn)生的氧化膜.

7.1.4 砂漿回收廢水

從砂漿中回收聚乙二醇、碳化硅過程中產(chǎn)生的廢水，主要含聚乙二醇、碳化硅及添加劑（AKD）等。

廢水水質(zhì)一太陽能電池

主要污染物：氫氟酸廢水、含酸廢水、含硅粉、切割液（聚乙二醇）廢水.

1、 濃HF、濃KOH廢水：F:10g/L以上

2、 稀HF廢水：F:200mg/L左右

3、 稀酸、堿廢水：酸和堿.

廢水水質(zhì)一砂漿回收

主要污染物：是主要從事太陽能硅片切割液、碳化硅微 粉、硏磨液、清洗劑等產(chǎn)品的技術(shù)開發(fā)和廢砂漿的再生利用的 （聚乙二醇，碳化硅）廢水.

高濃度廢水：COD=40000mg/L

低濃度廢水：COD=5000mg/L

廢水水質(zhì)——LED